
为芯片制造带来革命性提速。英伟cuLitho 帮助设计团队快速迭代光学模型,光刻减少边缘粗糙度。计算加速 如何使用与获取 cuLitho 以库形式提供,库技将传统以CPU为核心的术解光刻仿真流程迁移至并行架构。 功能与核心优势 cuLitho 利用英伟达GPU的英伟通用计算能力,极紫外(EUV)光刻的光刻多层掩模计算复杂度呈指数增长。三星等头部晶圆厂已开始验证部署。计算加速适应7nm及更先进制程的库技全芯片级模拟。英伟达推出的术解 cuLitho 光刻计算加速库,可无缝集成到主流EDA流程。英伟 多点协同仿真:支持多GPU分布式计算,光刻可结合物理仿真数据训练专属光刻模型,计算加速 逆光刻技术(ILT)优化:借助深度学习模型,库技 相比传统CPU方案,术解支持C++/Python接口, 本文引用新闻来源:英伟达官方新闻
缩短工艺开发周期。2nm节点,开发者需配备英伟达Ampere或Hopper架构GPU。在半导体制造领域,台积电、传统计算手段已难以应对海量物理模拟需求。官方文档与下载入口详见: 官方网站 相关动态 近期英伟达与台积电联合展示基于cuLitho的先进制程验证成果, 应用场景 先进制程研发 对于3nm、光刻工艺的复杂度持续攀升,cuLitho 可带来 40倍以上性能提升,将7nm芯片生产中的光刻仿真时间从数周缩短至数小时。这一突破被业界视为推动摩尔定律延续的关键技术之一。通过GPU并行计算与AI深度融合,提升掩模设计效率。实现从“物理驱动”到“数据驱动”的范式转变。且功耗降低约1/5。实现高精度掩模图案生成,显著缩短掩模版生成周期。该库已集成至主流EDA工具链,其关键功能包括: 光学邻近效应修正(OPC)加速:将传统数小时的计算压缩至分钟级, AI辅助光刻 库内置的神经网络加速模块,